• Материаловедение
• Генераторы c автозапуском
• Вентиляторы
• Садовая техника
• Двигатели
• Автоматизация производства
• Новости

Главная › Новости

Система электроснабжения на два уровня

Опубликовано: 06.09.2018

Потери электричества в проводнике 50 метров

Тенденция к переходу систем электрооборудования легковых автомобилей на повышенное бортовое напряжение заставляет разработчиков искать оптимальные пути решения этой задачи. Перевод на новый уровень источников и потребителей электрической энергии сопряжен с решением новых задач сразу во многих сферах электротехнической отрасли в автомобилестроении, в первую очередь таких, как организационные, конструкторские, технологические, экономических и другие.

Одним из возможных вариантов может быть путь постепенного последовательного перевода узлов электроснабжения и потребления электрической энергии на борту автомобиля по частям по мере их разработки и производства. Так, например, как промежуточный, в системах электроснабжения может быть реализован такой вариант: главным источником электроэнергии на борту автомобиля остается классический электрогенератор с напряжением 14В. и параллельно работающая с ним аккумуляторная батарея, а вспомогательным источником на напряжение 36В. может быть электронный преобразователь электрической энергии, который по отношению к основному будет вторичным источником питания (ВИП). В этом случае в саму классическую систему электроснабжения никаких изменений не вносится.

В качестве ключей в преобразователе (ВИП) могут быть применены как IGBT, так и биполярные транзисторы. IGBT транзисторы обладают хорошими динамическими свойствами, почти не требуют мощности на их управление, но по сравнению с биполярными транзисторами на сегодняшний день пока еще обладают, как транзисторы составные по своей сути, более высоким падением напряжения во включенном состоянии. Последнее обстоятельство особенно ощутимо при низких уровнях напряжения первичного источника питания, а именно таким уровнем напряжения 12 В обладает бортсеть автомобиля. В силу отмеченного более предпочтительными могут оказаться ключи, реализованные на базе биполярных транзисторов.